湘潭大学 半导体器件物理课件 第02章 pn结与pn二极管.pptVIP

单边突变结电容：假设有p+n结，即pp0nn0,NaNd，相应有：势垒电容和反偏电压有关系：可以看到，单边突变结的C-V特性可以确定轻掺一侧的掺杂浓度。这是C-V法测定材料掺杂浓度的原理。非均匀掺杂pn结线性缓变的PN结

实际的PN结制造过程（外延、扩散或离子注入工艺）往往形成的是一个近似线性缓变的PN结。N型掺杂浓度与P型掺杂浓度相等之处，即为PN结界面的位置，也就是冶金结的位置。线性缓变pn结的特性电势分布可以进一步求得：假设-x0处的参考电位为零，则可以求出：在x0处即为该pn结的接触电势差：如果采用和突变结类似的内建电势差公式，则有：当外加反偏电压为VR时，则耗尽区相应展宽，并且在整个耗尽区内电场的积分为Vbi+VR，即：注意：隐含了两侧掺杂浓度梯度相同的假设可求得：与突变结类似地，我们还可以求得势垒电容：从上式可以看出，线性缓变pn结的反偏势垒电容与成正比，也即：与线性掺杂pn结相比，均匀掺杂的pn结势垒电容的大小对反偏电压更为敏感。超突变的PN结对于一个单边突变的P＋N结，我们考虑更一般的情况，即当x0时，N型区的掺杂浓度可表示为：

N=Bxm

当m=0时，即为均匀掺杂的情形；而当m=1时，即为线性缓变PN结的情形；当m为负值时，即为所谓的超突变掺杂的PN结。采用类似的分析方法，我们可