湘潭大学 半导体器件物理课件 第01章 半导体物理基础.pptVIP

掺入受主杂质，费米能级向下（价带）移动，导带电子浓度减少，空穴浓度增加过程：价带电子热激发到受主能级产生空穴，增加空穴浓度；导带电子跃迁到受主能级减少导带电子浓度；受主原子改变费米能级位置，导致重新分布EvEcEd简并与非简并半导体在n0、p0的推导过程中，使用了玻尔兹曼假设，该假设只能处理非简并系统。而当导带电子（价带空穴）浓度超过了状态密度Nc（Nv）时，费米能级位于导带（价带）内部，称这种半导体为n（p）型简并半导体。发生简并的条件大量掺杂温度的影响（低温简并）简并系统的特点：杂质未完全电离杂质能级相互交叠分裂成能带，甚至可能与带边相交叠。杂质上未电离电子也可发生共有化运动参与导电。从费米积分曲线上可以看出当ηF-2时为直线，即玻尔兹曼近似成立§4.4 施主和受主的统计学分布我们在前边提到，费米－狄拉克几率分布函数能够成立的前提条件是满足泡利不相容定律，即一个量子态上只允许存在一个电子，这个定律同样也适用于施主态和受主态。我们将费米－狄拉克分布几率用于施主杂质能级，则有： 其中gd为施主电子能级的简并度，通常为2。 Nd为施主杂质的浓度，nd为占据施主能级的电子浓度，Ed为施主杂质能级，Nd＋为离化的施主杂质浓度。与此类似，当我们将费米－狄拉克分布几率用于受主杂质能级时，则有： Na为受主杂质的浓度，pa为占据受主能级