湘潭大学 半导体器件物理课件 第03章 双极型晶体管.pptVIP

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  • 2026-03-23 发布于河北
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湘潭大学 半导体器件物理课件 第03章 双极型晶体管.ppt

由于Ae为发射结面积,jp(X1)和jn(X2)都随正向压降而呈指数增大,因此IE也与UEB成指数关系。实际上输入特性曲线就是正向PN结的特性曲线,但也存在着差别:在同样UEB下,IE随着UCB增大而增大,这是因为集电极空间电荷区宽度随着UCB的增大而增加,因而有效基区宽度减小,使得在同样UEB下,基区少子浓度梯度增大,所以IE增大。这种有效基区宽度随UCB的增大(减小)而减小(增大)的现象,就是上面讨论的基区宽度调变效应。所以,输入特性曲线随着UCB的增大而左移。二、共基极直流输出特性曲线在不同的IE下,改变UCB,测量IC,便可得出一族IC-UCB曲线,这族曲线称为共基极直流输出特性曲线,如图3.2l(b)所示。UCB0时,ICB?IE(因为ICB=?0IE,?0?1),而且基本与UCB无关。在UCB=0时,IC仍保持不变,这是因为在UCB=0时,基区靠集电结空间电荷区边界处少子浓度等于平衡少子浓度,但因基区中存在少子浓度梯度,不断地有少子向集电结边界扩散,为了保证该处少子浓度等于平衡少子浓度,漂移通过集电结的少子必须大于从集电区扩散到基区的少子(扩散到基区靠近集电结边界的少子仍然靠漂移通过集电结),因而虽然UCB=0,但IC不等于零。要使集电极电流减至零,必须在集电结上加一个小的正向偏压,使基区中少子浓度梯度接近于零方

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