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现代半导体器件

刘飞

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中山大学理工学院

第五章结型场效应晶体管

5.1JFET结构与工作原理

5.2MESFET

5.3JFET直流特性

5.4直流特性的非理想效应

5.5JFET交流小信号特性

5.3JFET直流特性

一、肖克莱缓变沟道近似模型：(长沟道JFET)

1.模型建立的基本物理前提：

(1)沟道杂质均匀分布，栅结为单边突变结；

(2)沟道中载流子的迁移率为常数；

(3)忽略有效沟道区外(源、漏区及欧姆接触)的电压降;

(即器件全部电压降都发生在有效沟道区)

(4)进行缓变沟道近似(GCA)即，∂Ex∂Ey。