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现代半导体器件

刘飞

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中山大学理工学院

第六章MOSFET

6.1MOS结构及其特性

6.2MOSFET结构与工作原理

6.3MOSFET阈值电压

6.4MOSFET直流特性

6.5MOSFET小信号特性

6.6MOSFET开关特性

6.7短沟道效应及按比例缩小规则

6.2MOSFET结构与工作原理

一、MOSFET基本结构

1.MOS结构：

(1)薄SiO层：厚度为t，大约为100nm；

2ox

(2)栅极G：氧化层上电极；(常用金属和多晶硅制成)

(3)P型基底B：通常使用P－Si。

2.两个背对背的PN结：

(1)源区:为提供多子电子的区域；扩散或离子注入法形

(2)漏区:多子电子流入的区域;