现代半导体器件第17讲.pdfVIP

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  • 2026-03-24 发布于河北
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现代半导体器件

刘飞

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Email:liufei@mail.sysu.edu.cn

中山大学理工学院

第五章结型场效应晶体管

5.1JFET结构与工作原理

5.2MESFET

5.3JFET直流特性

5.4直流特性的非理想效应

5.5JFET交流小信号特性

上一节回忆

(1)试简述弱场下大注入所引起的有效基区扩展效应?

其中弱场指的是什么?

(2)什么叫做发射极电流集边效应?试对这个效应物理

过程作简单解释?

(3)集电极最大I的定义是什么?实际应用怎样选取I?

CMCM

(4)晶体管的安全工作区是如何规定的?二次击穿对其

有何影响?

第五章引言

一、场效应晶体管FET(FieldEffectT

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