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- 2026-03-24 发布于河北
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现代半导体器件
刘飞
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Email：liufei@mail.sysu.edu.cn
中山大学理工学院
第六章MOSFET
6.1MOS结构及其特性
6.2MOSFET结构与工作原理
6.3MOSFET阈值电压
6.4MOSFET直流特性
6.5MOSFET小信号特性
6.6MOSFET开关特性
6.7短沟道效应及按比例缩小规则
上一节回忆
(1)什么是晶体管的二次击穿？二次击穿的种类有
几种，试作简单描述？
(2)什么晶体管的最大耗散功率，P的影响因素有
CM
哪些？
(3)晶体管的安全工作区是如何规定的？二次击穿对
其有何影响？
6.4MOSFET
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