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- 2026-03-24 发布于北京
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l长期使用更安全,通道上限高。侵入式插入脑组织的电极四周易出现胶质瘢痕,导致神经元凋亡和炎症反应,生物相容性恶化。电极脱出概率高,造成脑组织和周边血管损伤;脑组织热敏感性极高,侵入式脑机由于较高的集成性,主要热源芯片与脑组织距离近,功耗和通道数易达上限。半侵入式电极位于皮层外,不形成胶质瘢痕,长期生物相容性更好,且薄膜电极无轴向脱出可能。芯片和电极的分体式设
计,更好解决热极限难题。因此,半侵入式在长期使用中电极稳定性更优,发热控制更好,且随着通道数增长优势将进一步扩大。
l取出更安全,更具消费级潜力。侵入式电极取出时会撕脱血管网,导致实质损毁和出血,造成物理性坑洞,神经元缺失,同时出血位置在皮层内部,止血困难。半侵入式薄膜电极揭离不损伤实质血管,极大降低出血概率,即便出血也仅限于表面易于处理,同时脑组织结构完整,具备完全可逆性。随着脑机接口即将进入高通量时代,消费级应用得以展望,面对更快的换代频率,半侵入式更加贴合易取出、易更换的需求,更具向消费级拓展的潜力。
l综合来看:半侵入式能基本解决植入、长期使用和取出的安全性难题,并且随通道数增加优势更为明显,安全性是获批落地并抢占脑神经疾病赛道的必要条件,因此我们认为半侵入式安全性更好,发展潜力更大。
l脑机接口作为多学科交叉新兴技术,想象空间广阔,但消费领域应用需先经脑神经疾病治疗领域验证。因为人脑植入物管控严格,
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