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半导体物理基础：

1.Si的晶体结构是简单晶格、还是复式晶格？Si的晶格振动模式？

Si晶格应该看成是由两种原子构成的复式晶格。

每一个原胞中有两个原子，于是Si的晶格振动模式也有两种——声学波和光学波。

2.Si禁带宽度的温度系数是正还是负？

Si的禁区宽度随温度的升高是变窄的。

3.n型半导体中的电子多，空穴少，但为什么是电中性的？

不管n型半导体中有多少电子，每一个电子都有一个电离施主中心与之相对应，保持为电中性，从而整个n型半导体并不呈现出多余的负电荷。

4.什么是本征半导体？

未掺杂半导体

掺杂半导体—高温下

补偿半导体—不是本征半导体

5.半导体掺杂浓度越高，两种载流子的浓度是否都越大？

半导体的掺杂浓度越高，多数载流子浓度就越大，而少数载流子浓度也就越小。

6.半导体的多数载流子浓度和少数载流子浓度与温度的关系是一样的吗？

温度不是很高时，

多数载流子浓度与温度关系不大；

少数载流子随温度增加而增加。

7.多数载流子和少数载流子的电流大小？

多数载流子的漂移电流要远大于少数载流子的漂移电流。

扩散电流与载流子浓度梯度成正比，因此即使是数量很小的少数载流子，也可以产生很大的扩散电流。

BJT和SCR是少数载流子工作的器件，电流可以高达数十、乃至数百安培。MOSFET是多数载流子工作的器件，但是电流却不一定很大。

8.载流子的平均自由程与晶格常数的大小？

由于晶体