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2025级微电子工艺学试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.下列哪种半导体晶体结构属于硅和锗的典型结构？

A.六方密堆结构

B.体心立方结构

C.金刚石结构

D.面心立方结构

2.在半导体制造中，光刻工艺的主要目的是什么？

A.在硅片上生长氧化层

B.将图形从掩模版转移到硅片表面

C.对硅片进行掺杂

D.在硅片上沉积金属层

3.关于离子注入掺杂，下列说法正确的是：

A.温度通常较高，以增强掺杂效率

B.掺杂浓度分布主要由注入能量和剂量决定

C.横向扩散比热扩散大

D.不需要后续的退火步骤

4.下列哪项是化学气相沉积（CVD）技术的特点？

A.主要用于物理气相沉积

B.反应物在气相中发生化学反应生成固态薄膜

C.沉积速率通常较低

D.台阶覆盖性较差

5.在CMOS工艺中，形成N阱通常采用哪种杂质？

A.磷（P）

B.硼（B）

C.砷（As）

D.锑（Sb）

6.干法刻蚀与湿法刻蚀相比，其主要优势在于：

A.选择性更高

B.刻蚀速率更快

C.各向异性更好，