2026《无线无源LC谐振应变传感器的制备工艺分析综述》1700字.docxVIP

无线无源LC谐振应变传感器的制备工艺分析综述

本文采用MEMS工艺中的光刻、刻蚀方法对传感器进行制备。整个制备过程主要分为以下步骤：

（1）选定传感器中的螺旋电感与叉指电容的几何尺寸参数，运用CAD进行工程制图，设计出光刻工艺所需要的掩模板。

（2）在柔性聚酰亚胺单面覆铜膜上采用光刻的方法制备所需要的图形单元。

（3）采用刻蚀铜的工艺进行刻蚀，得到所需要的图形单元。

根据之前的优化设计，得到了相应的平面螺旋电感与又指电容以及LC谐振传感器的具体几何尺寸，运用CAD工程制图软件画出了所需要的光刻掩模图形，如图4-1所示。

图4-1部分平面叉指电容、平面螺旋电感、LC谐振回路的光刻掩模板图形单元

工程制图完毕后，送到专业的制作掩模板公司进行掩模板制作。基底材料选用的是聚酰亚胺单层覆铜膜，其介电常数为3.5，介质材料厚度为25μm，覆铜厚度为0.018mm。准备完前面的光刻掩模和基底材料后，开始光刻与刻蚀制备。

本论文中因为后面采用的是刻蚀铜工艺，所以选用了正性光刻胶AZ6112，整个光刻过程如下：

步骤

操作

清洗基片

分别在烧杯中装入适量的内酮、无水乙醇、去离子水，首先用棉签蘸适量丙酮在基片表面进行清洗，然后把清洗完的基片放入无水乙醇中冲洗去除残留丙酮，再用去离子水对基片进行冲洗，冲洗去除残留无水乙醇，最后用氮气枪进行吹干。

烘烤基片

此步骤主要是为了让基片表面干燥，防止后续步骤涂