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- 2026-03-25 发布于广东
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AP18N20AP
200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP18N20BDusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
●V=200V,I=18A
DSD
RDS(ON)150mΩ@VGS=10V(Typ:120mΩ)
APPLICATIONS
SwitchModePowerSupply(SMPS)
UninterruptiblePowerSupply(UPS)
PowerFactorCorrec
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