CN110957369B 半导体装置的形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docxVIP

  • 0
  • 0
  • 约2.94万字
  • 约 68页
  • 2026-03-25 发布于山西
  • 举报

CN110957369B 半导体装置的形成方法 (台湾积体电路制造股份有限公司).docx

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN110957369B

(45)授权公告日2025.07.04

(21)申请号201910923807.5

(22)申请日2019.09.27

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN110957369A

(43)申请公布日2020.04.03

(30)优先权数据

62/737,6982018.09.27US

16/548,4302019.08.22US

(73)专利权人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人丁姮彣陈科维李启弘郑培仁宋学昌李彦儒

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档