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CN112420489B 沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构 （Asmip私人控股有限公司）.docxVIP

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  • 2026-03-25 发布于山西
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CN112420489B 沉积氮化钼膜的方法和包括氮化钼膜的半导体装置结构 （Asmip私人控股有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN112420489B

    (45)授权公告日2025.07.08

    (21)申请号202010830240.X

    (22)申请日2020.08.18

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112420489A

    (43)申请公布日2021.02.26

    (30)优先权数据

    62/891,2542019.08.23US

    (73)专利权人ASMIP私人控股有限公司地址荷兰阿尔梅勒

    (72)发明人E.C.斯蒂芬斯B.佐普

    S.斯瓦米纳坦C.德泽拉谢琦G.A.沃尼

    (74)专利代理机构北京市

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