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2025年长鑫存储在线试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.在DRAM单元中，用于存储“1”与“0”的本质物理量是

A.栅氧电容上的电子数目

B.位线对地的电压差

C.trench电容内的电荷量

D.字线电流的极性

2.长鑫存储1Xnm工艺节点中，为提高阵列密度而最先引入的图形化技术是

A.自对准四重图形SAQP

B.极紫外单次曝光EUV

C.浸没式193nm双图形LELE

D.纳米压印NIL

3.下列哪一项不是DDR5SDRAM相对于DDR4的关键新增特征

A.片上电源管理IC

B.子通道结构

C.决策反馈均衡DFE

D.预取深度固定为8n

4.在3DDRAM的“混合键合”工艺中，最关键的表面预处理步骤是

A.氧等离子体灰化

B.稀HF-last清洗

C.氮气退火

D.紫外臭氧处理

5.长鑫存储可靠性规范中，高温工作寿命HTOL的常用温度与电压应力组合为

A.85℃，1.1×VDD

B.125℃，1.2×VDD

C.150℃，1.0×VDD

D.105℃，1.3×VDD

6.用于检测DRAM相邻单元之间是否存在寄生NPN导通的测试模式是

A.走步“MarchC-”

B.乒乓“Pi