1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 汽车/机械/制造
  5. 汽车技术

CN115153566B 一种微电极结构及其制作方法 （武汉衷华脑机融合科技发展有限公司）.docxVIP

  • 3
  • 0
  • 约9.71千字
  • 约 14页
  • 2026-03-28 发布于山西
  • 举报

CN115153566B 一种微电极结构及其制作方法 （武汉衷华脑机融合科技发展有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN115153566B

    (45)授权公告日2025.07.04

    (21)申请号202210677422.7

    (22)申请日2022.06.16

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN115153566A

    (43)申请公布日2022.10.11

    (73)专利权人武汉衷华脑机融合科技发展有限公司

    地址430075湖北省武汉市东湖新技术开

    发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1130（自贸区武汉片区）

    (72)发明人黄立黄晟童贝

    (74)专利代理机构北京汇泽知识产权

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >