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GaSb表面改性策略及其对光电性质影响的深度剖析

一、引言

1.1GaSb材料简介

GaSb，即锑化镓，作为III-V族化合物半导体家族中的重要成员，以其独特的物理性质在半导体领域占据着不可或缺的地位。从晶体结构来看，GaSb属于闪锌矿结构，这种结构赋予了它一些特殊的物理性质。其晶格常数为0.60959nm，原子在空间中呈现出规则且有序的排列方式，为电子的运动和相互作用提供了特定的环境基础。

在电学特性方面，GaSb展现出直接带隙的特性，其禁带宽度在300K时为0.725eV。这一数值决定了它在光电转换过程中独特的表现，与其他半导体材料形成鲜明对比。由于是直接带隙材料，电