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第二章光学曝光技术课件;优选第二章光学曝光技术课件;;第二章光学曝光技术;（1）接触式光学曝光技术;（2）接近式光学曝光技术;（3）投影式光学曝光技术;光刻工艺的相关光学基础;如果想在像平面(如光刻胶）对小孔进行成像，可以用透镜收集光并聚焦到像平面;数值孔径(NumericalApertureNA);分辨率-Resolution;然而采用高数值孔径的光学系统(大透镜），会使景深变差;焦深（DoF）;NGL:X射线(5?)，电子束(0.62?)，离子束(0.12?);第二章光学曝光技术;;树脂（Resin）：光刻胶中的基体材料，是一种对光敏感的高分子化合物，当它受适当波长的光照射后，就能吸收一定波长的光能量，发生交联、聚合或分解等光化学反应，使光刻胶改变性质。

;凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以交联反应为主的光刻胶称为负性光刻胶，简称负胶。

凡是在能量束（光束、电子束、离子束等）的照射下，以降解反应为主的光刻胶称为正性光刻胶，简称正胶。;正胶;1、灵敏度:光刻胶通过显影完全被清除所需要的曝光剂量（正胶）；光刻胶在显影后有50%以上的胶厚得以保留时所需要的曝光剂量（负胶）。是衡量曝光速度的指标，灵敏度越高，所需曝光剂量越小，曝光时间越短。

灵敏度太低会影响生产效率，