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CMOS制作基本环节

CMOS的制作环节是需要通过一系列的复杂的化学和物理操作最终形成舆成

电路而做为一名集成电路版图（iclayout）工程师，对于这个在半导体制造

技术中具有代表性的CMOS工艺流程有个系统的理解是有很大协助的个人认为

只有理解了工艺的版工才会在ICLayout的绘制中考虑到你所画的版图对流片产

生口勺影响

芯片制造厂F（ab）大概分为：扩散区，光刻区，刻蚀区，离子注入区，薄

膜区和抛光区扩散是针对高温工艺，光刻运用光刻胶在硅处表面刻印，刻蚀将

光刻胶日勺图形复制在硅片上，离子注入对硅片掺杂，薄膜区淀积介质层和金属层,

抛光重要是平坦化硅片日勺上表面

简化的CMOS工艺由M个生产环节构成：O双阱注入在硅片上生成N阱

和P阱2（）浅槽隔离用于隔离硅有源区（3）通过生长栅氧化层、淀积多晶

硅和刻印得到栅构造4（）LDD注入形成源漏区的浅注入（5）制作侧墙在随

即H勺源、漏注入当中保护沟道6（）中等能量的源、漏注入，形成的结深不小

于