2026年大三微电子科学与工程半导体器件物理综合测试卷附答案.docx

2026年大三(微电子科学与工程)半导体器件物理综合测试卷附答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.本征硅在室温（300K）下的本征载流子浓度约为（）

A.1.5×10^10cm^-3

B.1.5×10^12cm^-3

C.1.5×10^14cm^-3

D.1.5×10^16cm^-3

答案：A

解析：室温下本征硅的本征载流子浓度是半导体物理的基础参数，实验测定值约为1.5×10^10cm^-3。随着温度升高，本征载流子浓度会呈指数级增长，这是因为温度升高增强了本征激发的强度。

2.影响PN结内建电势大小的核心因素不包括（）

A.半导体的禁带宽度

B.两侧