WE05DUCF-BF晶圆工艺优化及性能提升说明.pptxVIP

WE05DUCF-BF变更说明LetsmakeelectronicsSafer！

晶圆工艺优化内容：a：器件工艺过程中的二次外延变更前为本征外延工艺，此工艺作业难度大(工艺实现和设备产能都是瓶颈)，变更后降低了二次外延电阻率为200ohm，此工艺优化提高了产能，能够更好保证客户交付；b：经过工艺优化，器件IPP能力从变更前3.3A提高到3.9A，提升了器件通流能力。N-epi为本次优化工艺的二次外延作用：Nepi与P型埋层形成降容管D1，起到决定器件电容的作用，SN作为Nepi的引出，引出到正面电极IO1变更前为本征外延工艺本征外延工艺对设备腔体氛围洁净度极高、氛围难控制，工艺难度大，且电阻率不稳定，一般在300-1000ohm.cm之间波动，难以监控，工艺实现和设备产能都是瓶颈。变更后Nepi电阻率降低到了200ohm.cm(200ohm.cm仍属于高阻)，工艺过程通过掺杂PH3实现，PH3掺杂量可通过流量计精确控制，电阻率可控度高，range可以控制到+/-15%，方便工艺监控，提高设备产能。变更后Nepi电阻率对器件电容本身并无影响，Nepi的浓度为E13量级，P型埋层浓度为E20量级，耗尽区都在Nepi一侧扩展，由于d较小，可将d区域内全部耗尽，根据电容公式Cj=εs/d，s为结面积没变