CN119584596A Ldmos器件及其形成方法 （合肥晶合集成电路股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119584596A

(43)申请公布日2025.03.07

(21)申请号202510127856.3

(22)申请日2025.02.05

(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

地址230012安徽省合肥市新站区合肥综

合保税区内西淝河路88号

(72)发明人康绍磊丁帅丁梦茜

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务

所(普通合伙)31237

专利代理师赵素香

(51)Int.Cl.

H10D30/65(2025.01)

H10D64/00(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D30/01(2025.01)