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CMOS图像传感器基本原理及特点

一、CMOS图像传感器的基本原理

（一）光电转换核心：光电二极管

CMOS图像传感器的核心功能是将光信号转换为电信号，这一过程依赖于光电二极管（PD,Photodiode）。当光子照射到光电二极管的半导体材料（通常为硅）时，会激发电子-空穴对。在反向偏置电压的作用下，电子和空穴会被分离并分别向两极移动，从而在二极管内部形成光生电流。光生电流的大小与入射光的强度成正比，光线越强，激发的电子-空穴对越多，电流也就越大。

为了高效收集光生电荷，光电二极管通常采用深阱结构。这种结构可以增加耗尽区的宽度，提高光子的吸收效率，同时减少电荷复合的概率。此外，部分高端CMOS传感器还会在光电二极管表面添加微透镜阵列，通过汇聚光线的方式提升光的利用率，尤其是在弱光环境下，这一设计能显著增强传感器的灵敏度。

（二）像素单元的信号读取

每个光电二极管对应一个像素单元，而CMOS传感器的像素单元集成了放大器、模数转换器（ADC）和选择开关等电路，这是它与传统CCD传感器的核心区别之一。当光电二极管产生光生电荷后，电荷会被转移到一个**浮动扩散节点（FD,FloatingDiffusion）**上，该节点的电容会将电荷信号转换为电压信号。随后，像素内的放大器会对这一微弱电压进行初步放大，再通过选择开关将信号传输到传感器的列总线。

与CCD传感器需要全局曝光并通过移位寄