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半导体材料与器件制造手册（执行版）

第1章基础知识与材料特性

1.1半导体材料分类与特性

半导体材料主要分为本征半导体、掺杂半导体和化合物半导体三大类。本征半导体如硅（Si）和锗（Ge）是纯元素半导体，具有良好的导电性，但其导电率受温度和杂质影响较大。掺杂半导体通过引入微量杂质（如磷、砷等）改变半导体的导电类型，使其成为N型或P型半导体。例如，磷掺杂的硅（P-Si）为N型半导体，而砷掺杂的硅（As-Si）为P型半导体。

化合物半导体包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等，具有高电子迁移率和高击穿电压，常用于高频和高功率器件。半导体材料的特性主要由其能带结构决定，包括带隙宽度、载流子迁移率、载流子浓度等。例如，硅的带隙宽度约为1.12eV，而GaAs的带隙宽度约为1.42eV。半导体材料的性能受杂质浓度、温度、应力等因素影响。例如，硅的掺杂浓度通常在101?到101?cm?3之间，过高的掺杂浓度可能导致缺陷增多，降低器件性能。

半导体材料的热导率和电导率是重要的物理参数，影响器件的热管理和电性能。例如，硅的热导率约为150W/m·K，而GaAs的热导率约为300W/m·K。半导体材料的晶格结构决定了其物理性质，如晶格常数、晶向等。例如，硅的晶格常数约为5.43?，而GaAs的晶格常数约为5.43?，但晶向不同会导致不同的晶体取