NiOZnO基半导体异质结与MgNiO固溶体薄膜：制备工艺与性能关联探究.docx

NiOZnO基半导体异质结与MgNiO固溶体薄膜：制备工艺与性能关联探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今科技飞速发展的时代，光电器件作为现代信息技术的核心组成部分，广泛应用于通信、能源、医疗、显示等众多领域，其性能的优劣直接影响着相关领域的发展水平。从早期简单的光电二极管到如今复杂的高性能激光器、高效率太阳能电池等，光电器件的发展历程见证了人类对光与电相互作用的深入理解和精准调控。随着5G通信技术的普及、人工智能的兴起以及对清洁能源需求的不断增长，对光电器件在高速响应、高转换效率、低能耗等方面提出了更为严苛的要求，传统的半导体材料和器件结构已难以满足这些日益增长的需求，开发新型半