论文题目:横向MoSe2-MoS2异质结构可控制备与表征
内容提要
在二维材料领域中,石墨烯零带隙的特点,限制了其在光电子领域的应用。然而,过渡金属硫族化合物(TMDCs)具备优异特性,如良好的导电性、高载流子迁移率、良好的机械和光学性能。它弥补了石墨烯的缺点,在光电子领域有更广阔的应用前景。其中,二维纵向异质结构开始应用于新型器件设计,且表现出优越的器件性能。但是,层间不可避免的杂质和堆叠过程中取向的精确、可控制备等因素制约了纵向二维异质结构的制备及其应用。为了克服
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