半导体物理考研真题精编：概念、材料对比及实验设计.pdfVIP

2013年

一、

1、空穴

2、准能级

3、简并

4、

二、简答题

1、硅、GaAs能带结构比较跃迁。发光材料选择哪种？

2、重参杂AlGsAs与砷化镓的高电子迁移率原理

3、隧道二极管的IV特性，图加原理

4、有效质量的概念、意义、作用

三、实验题

新题：MOS的平带电压与金属与功函数差和固定电荷密度有关，请设计一个方法，

现在可以通过测量不同氧化层厚度的平带电压的实验得到平带电压与以上两因素有关。

四、计算题

1、计算电导率与时间的关系。光照N型均匀产生非平衡少数载流子，施主浓度

ND，产生率gp=10*8，已知ni,un,up,tp,tn.

2、已知能级的位置在本征能级下方0.45ev出，现在有受主杂质浓度NA（一个很

大的值算出来EF-Ei大于0.45ev。）问需要继续加入何种类型，并且算出浓度。

五、论述题

1、激光器为什么用AlGsAs与砷化镓？

2、硅Si应变异质结概念，硅锗应变结在高速电路中的应用，同型和反型异质结的区别？

3、光电池的原理光电池与光伏探测器的区别，画出光电压和