CN120129265A 一种优化金属残留和填充的hemt器件的制备方法 （深圳镓楠半导体科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120129265A

(43)申请公布日2025.06.10

(21)申请号202510141418.2

(22)申请日2025.02.08

(71)申请人深圳镓楠半导体科技有限公司

地址518000广东省深圳市坪山区坪山街

道和平社区启运西路19号华瀚科技工

业园厂房2栋201-A85

(72)发明人杜卫星

(74)专利代理机构苏州隆恒知识产权代理事务

所(普通合伙)32366

专利代理师周子轶

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

H10D64/00(2025.01)