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CN116153357B 一种锤击刷新方法、锤击刷新电路及半导体存储器 （长鑫存储技术有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-06 发布于山西
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CN116153357B 一种锤击刷新方法、锤击刷新电路及半导体存储器 （长鑫存储技术有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利

    (10)授权公告号CN116153357B

    (45)授权公告日2025.05.30

    (21)申请号202111399125.2

    (22)申请日2021.11.19

    (65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN116153357A

    (43)申请公布日2023.05.23

    (73)专利权人长鑫存储技术有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人陈继兴

    (51)Int.Cl.

    G11C11/406(2006.01)

    G11C8/14(2006.01)

    G11C7/1

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