CN119997560A 一种抗浪涌的低势垒碳化硅mosfet结构及制备方法 (国网上海市电力公司).pdfVIP

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  • 2026-04-07 发布于重庆
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CN119997560A 一种抗浪涌的低势垒碳化硅mosfet结构及制备方法 (国网上海市电力公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119997560A

(43)申请公布日2025.05.13

(21)申请号202510145056.4H10D62/83(2025.01)

(22)申请日2025.02.10

(71)申请人国网上海市电力公司

地址200120上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区源深路1122号

申请人北京智慧能源研究院

(72)发明人李新宇和峰桑玲何亚伟

金锐王劭菁陈哲

(74)专利代理机构北京今泰佳知识产权代理事

务所(普通合伙)16303

专利代理师杨庆国

(51)Int.Cl.

H10D30/66(20

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