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2026年半导体镀膜专项试题及答案

考试说明

本卷聚焦PECVD、ALD、磁控溅射核心工艺，覆盖半导体膜层制备、设备运维及故障排查，适配晶圆厂/封装厂考核，满分100分，时长120分钟。

题型含单选、多选、简答、案例题，侧重参数优化与良率管控，答案附实操解析，遵循SEMI标准及洁净规范。

第一部分单项选择题（每小题2分，共40分）

1.半导体晶圆制造中，制备硅片表面SiN?钝化膜（提升光伏电池效率）的主流工艺是（）

A.真空蒸发镀膜B.PECVDC.ALDD.磁控溅射镀膜

2.原子层沉积（ALD）在半导体领域的核心优势是（）

A.沉积速率最快B.原子级厚度控制与极高均匀性C.设备成本低D.适合大面积厚膜沉积

3.PECVD制备半导体SiO?膜，常用反应气体组合为（）

A.SiH?与O?B.TiCl?与N?C.AlCl?与ArD.SiH?与NH?

4.磁控溅射制备铝电极膜时，调控膜层电阻率的关键参数是（）

A.腔体真空度B.溅射功率与基板温度C.反应气体比例D.靶材与基板距离

5.半导体高K介质膜（如HfO?）的主流制备工艺是（）

A.电弧离子镀B.ALDC.普通CVDD.蒸发镀膜

6.PECVD工艺中射频功率过高，易导致膜层（）

A.膜层疏松