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MOCVD法生长GaN基异质结构及其物性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体领域，GaN基异质结构凭借其独特的物理性质和卓越的性能，占据着举足轻重的地位。作为第三代半导体材料的典型代表，GaN具备宽禁带、高电子迁移率、高热导率以及高击穿电场等诸多优异特性，这些特性使其在高温、高频、大功率以及光电器件等领域展现出巨大的应用潜力。在高温大功率应用场景中，如新能源汽车的电力驱动系统、智能电网的变电设备，GaN基器件能够承受更高的电压和电流，有效提升能源转换效率，降低能量损耗；在5G通信、卫星通信等高频领域，其高电子迁移率和高截止频率的优势，可实现信号的高速处理和传输，满