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探寻CMP过程Run-to-Run预测控制的创新路径与实践

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，半导体作为现代电子设备的核心组成部分，其制造工艺的精度和效率直接决定了电子产品的性能和竞争力。化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing，CMP）过程作为半导体制造中的关键环节，肩负着实现晶圆表面全局平坦化的重任，是确保后续光刻、刻蚀等精密工艺得以顺利进行的基础。

随着半导体技术持续向更小尺寸节点迈进，对CMP过程的控制精度提出了近乎严苛的要求。在先进制程中，如7nm、5nm甚至更先进的工艺节点，晶圆表面平整度的微小偏差都可能导致芯片性能