2025年高三物理上学期“物理芯片”中的物理知识考查卷.docVIP

2025年高三物理上学期“物理芯片”中的物理知识考查卷

一、单项选择题（每题4分，共40分）

2025年我国研发的二维材料硒化铟芯片，其载流子迁移率是传统硅基材料的3-10倍。已知硒化铟属于N型半导体，下列关于其导电特性的描述正确的是（）

A.主要依靠空穴导电

B.掺杂元素为硼族元素

C.温度升高时电阻单调增大

D.导电能力随掺杂浓度提高而增强

芯片制造中采用的极紫外光刻技术，其光源波长约13.5nm。若用该光源照射某金属表面，逸出光电子的最大初动能为2.5eV，已知普朗克常量h=6.63×10?3?J·s，元电荷e=1.6×10?1?C，则该金属的逸出功为（）

A.7.3eV

B.9.8eV

C.12.3eV

D.14.8eV

超导量子芯片中的约瑟夫森结元件，在外加磁场作用下会出现量子干涉现象。若两个完全相同的约瑟夫森结串联形成超导量子干涉装置（SQUID），当外加磁场强度缓慢增加时，通过SQUID的超导电流强度将（）

A.持续增大

B.周期性变化

C.先增大后减小

D.保持不变

某二维环栅晶体管（GAA）的沟道宽度为10nm，栅极电压控制电子在二维材料平面内运动。若电子的德布罗意波长λ=0.5nm，则其动量大小为（）

A.1.33×10?2?kg·m/s

B.2.66×10?2?kg·m/s

C.3.99×10?2?kg·m/s

D.5.