硅外延层载流子浓度测试 电容-电压法标准立项修订与发展报告.docx

硅外延层载流子浓度测试电容-电压法标准修订发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportontheRevisionofStandardforSiliconEpitaxialLayerCarrierConcentrationTestingbyCapacitance-VoltageMethod

摘要

随着电子电力技术的快速发展，硅外延片作为基础材料的重要性日益凸显。本文报告了《硅外延层载流子浓度测试电容-电压法》标准的修订背景、目的意义及主要内容。原标准发布于2009年，随着半导体产业的快速发展，已不能完全满足当前行业需求。国家半导体产业十三五规划明确提出提高大尺寸硅片质量的要求，推动高端外延片国产化。本次修订不仅对原汞探针电容-电压法进行了完善，还增加了无接触电容-电压法，使标准适用范围更广。修订内容包括细化干扰因素、增加仪器评判标准、细化测试环境要求、增加样品处理方法以及引入无接触C-V法技术。无接触C-V技术具有环境友好、测试成本低、可测试薄层外延层等优势，代表了行业发展趋势。本标准的修订将提高硅外延层载流子浓度测试的精确性与重复性，促进半导体材料质量的提升，增强我国半导体产业的国际竞争力。

关键词

硅外延层；载流子浓度；电容-电压法；无接触测试；半导体材料；标准修订

正文

引言

随着电子电力器件的不断升级换代，电子