CH 03-02 SRAM和DRAM的原理简介.pptVIP

*第三章内部存储器3.1存储器概述3.2SRAM存储器3.3DRAM存储器3.4只读存储器和闪速存储器3.5并行存储器3.6Cache存储器返回先修知识：电路与电子技术基础、数字电路与数字逻辑、数据结构*半导体存储器半导体存储器半导体读写存储器RAM半导体只读存储器ROM掩膜只读存储器PROMEPROMEEPROM双极型MOS型

(内存)TTL型ECL型I2L型静态SRAM动态DRAM*3.2SRAM存储器主存（内部存储器）是半导体存储器根据信息存储的机理不同可以分为两类静态读写存储器(SRAM)：存取速度快动态读写存储器(DRAM)：存储容量大*3.2SRAM存储器基本的静态存储元阵列存储元：锁存器（触发器），掉电丢失三组信号线地址线数据线行线列线控制线读写操作不同时发生*3.2SRAM存储器基本的SRAM逻辑结构*3.2SRAM存储器基本的SRAM逻辑结构存储体（32KB=32K*8位=256×128×8位）每个字节的同一位集成在一个芯片（32K×1）中，形成256×128的矩阵8个芯片就可以构成32KB地址译码器双译码方式：以便组织更大的存储容量，减少选择线的数目二级译码：地址分成x向（行译码）、y向两部分（列译码）A0~A7为