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硅材料生产与加工手册（执行版）

第1章硅材料基础理论

1.1硅的物理性质

硅（Si）是一种元素周期表中第14号元素，原子序数为14，其原子量约为28.085g/mol。硅是典型的金属loid，具有金属和非金属的双重特性，属于原子晶体结构。硅的物理性质包括熔点、沸点、密度、导电性、热膨胀系数等。其熔点为1410°C，沸点为2355°C，密度为2.33g/cm3。

硅的导电性在常温下属于半导体材料，其导电率随温度变化显著，通常在10??S/cm至10?3S/cm之间。硅的热膨胀系数约为3×10??/°C，具有良好的热稳定性，适合用于高温环境下的电子器件。硅的光学性质包括折射率、吸收系数和光反射率。其折射率约为1.46，吸收系数在可见光范围内约为10?cm?1。

硅的电学性质在不同温度下表现出显著的非线性变化，其电导率随温度升高而增加，但温度超过1000°C时会显著下降。硅的机械强度较高，其抗压强度约为200MPa，抗拉强度约为100MPa，适合用于制造高精度的半导体器件。硅的表面能较低，表面润湿性较好，适合进行表面处理和化学气相沉积（CVD）等工艺。

1.2硅的化学特性

硅的化学性质主要表现为其与氧、氮、碳等元素的反应特性。硅在常温下与氧气反应二氧化硅（SiO?），反应式为：Si+O?→SiO?。硅的化学稳定性较高，但其在高温下容