四种典型全控型器件比较文档.docx

技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。绝缘栅双极晶体管(IGBT

技术提供了条件，推动电力电子装置朝着智能化、高频化的方向发展。缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。绝缘栅双极晶体管(IGBT

OSFET)80年代初期出现的?MOS功率场效应晶体管和功率集成电路的工作频率达到兆赫级。集成电路的技术促进了器件的小型化和功能化。这些新成就为发展高频电力电子

于某一电压值UGS(th)时，栅极下面的P型区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型反型成N型，沟通了漏极和源极。此