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半导体制造危害检测目录

一级模块

工序单元

危害类别

具体危害源明细

核心检测项目

标准检测方法

合格判定标准

常规检测频率

管控责任部门

前道晶圆制造工序

硅片湿法清洗

化学危害、物理危害

氢氟酸、浓硫酸、浓盐酸、氨水、异丙醇、臭氧、超声清洗设备、高压喷淋装置

1.车间空气中氟化氢浓度；2.空气中氨浓度；3.臭氧浓度；4.TVOC浓度；5.设备噪声声级；6.喷淋装置联锁保护完整性；7.作业区接地电阻

1.氟化氢：离子色谱法；2.氨：纳氏试剂分光光度法；3.臭氧：靛蓝二磺酸钠分光光度法；4.TVOC：热解吸-气相色谱法；5.噪声：一级积分声级计现场测量；6.联锁保护：人工触发功能测试；7.接地电阻：接地电阻测试仪测量

1.氟化氢：PC-TWA≤2mg/m3，PC-STEL≤5mg/m3；2.氨：PC-TWA≤20mg/m3，PC-STEL≤30mg/m3；3.臭氧：PC-TWA≤0.1mg/m3，PC-STEL≤0.3mg/m3；4.TVOC≤0.6mg/m3；5.8小时等效连续A声级≤85dB(A)；6.联锁触发后300ms内切断动力供应；7.作业区接地电阻≤4Ω

1.有毒气体在线实时监测；2.人工每班巡检1次；3.实验室送检每月1次；4.噪声检测每半年1次；5.联锁功能测试每班1次；6.接地电阻检测每年1次

EHS管理部、晶圆生产一部、设备部

前道晶圆制造工序

光刻

化学危害、