双阈值电压电源门控设计优化流程方案.docxVIP

于最大权重切割的这些边界，改变到高VTH的结果是降低最大泄漏功率。这种算法的实现描述在图1的左半边，它与前一个流程基本相同，只是低VTH

于最大权重切割的这些边界，改变到高VTH的结果是降低最大泄漏功率。这种算法的实现描述在图1的左半边，它与前一个流程基本相同，只是低VTH库和高VTH库的使用顺序

信号隔离法一般是最佳选择。对于具有复杂电源管理结构的设计来说，输出信号隔离法通常是更好的选择。有多种门与晶体管组合可以实现电源门控信号下所需的上拉或下拉状态。在

VTH和高VTH单元库作进一步优化可以判断出所有关键的时序路径，并用低VTH单元替换这些路径中的单元。综合工具亦可以完成局部设计优化，解决替换低VTH单元后仍然

使用双阈值电压门限()的设计优化方法与流程可以在高度自动化的情况下达到功率和时序两方面的优异结果。这种双VTH方法对VDSM(极深亚微米)芯片非常重要，此时降低的VTH不光会改进性能，而且还会增加静态泄漏功率。

事实上，泄漏功率会随技术的升级呈指数增长，在65nm时达到芯片功耗的50%。泄漏功率的这种惊人增长对大多数设计来说是不可接受的，无论它们是否采用电池供电。因此，大多数设计会借助于设计优化流程，因为它可以在性能和泄漏功率之间取得折衷。

根据不同的设计要求，有三种常见的流程可以用于性能与泄漏功率的优化。这些流程的目标是尽量减小