CN119833393A 半导体器件生产用复合基底的制备方法 (广州志橙半导体有限公司).pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.8万字
  • 约 13页
  • 2026-04-16 发布于重庆
  • 举报

CN119833393A 半导体器件生产用复合基底的制备方法 (广州志橙半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119833393A

(43)申请公布日2025.04.15

(21)申请号202510182027.5B05D1/00(2006.01)

(22)申请日2025.02.1

您可能关注的文档

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档