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光电子技术与产业发展手册

第1章光电子技术与产业发展手册

1.1半导体光电器件物理机制

半导体光电器件的核心在于载流子与光子的相互作用，其基本工作原理基于光电效应与电光效应。在直接带隙半导体（如GaAs、InP）中，电子跃迁释放能量以光子形式发射，而在间接带隙半导体（如GaN、Si）中则需借助声子辅助。例如，在LED发光二极管中，当注入电流达到阈值时，电子与空穴复合释放能量，若能带结构允许直接跃迁，光子能量将严格等于带隙能量（$E_g$），从而产生特定波长的光。内部量子效率（IQE）是衡量器件性能的关键指标，它反映了注入载流子转化为光子的比例。IQE受限于复合中心的非辐射