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- 2026-04-17 发布于浙江
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4352IEEETRANSACTIONSONELECTRONDEVICES,VOL.63,NO.11,NOVEMBER2016
AnalyticalModelandOptimizationforVariable
DriftRegionWidthSOILDMOSDevice
YingWang,Xiong-FeiMeng,Pan-PanTang,andSu-FenCui
Abstract—Inthispaper,weproposeananalyticalmodelforthe
variabledriftregionwidth(VDRW)silicon-on-insulatorlateral
double-diffusedMOS(SOILDMOS)device.Usingtheproposed
model,forexample,thebreakdownvoltage375V
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