CN120239293A 一种低比导通电阻率GaN HEMT器件及其制备方法 （湖北九峰山实验室）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120239293A

(43)申请公布日2025.07.01

(21)申请号202510190137.6

(22)申请日2025.02.20

(71)申请人湖北九峰山实验室

地址430000湖北省武汉市东湖新技术开

发区九龙湖街9号

(72)发明人卢双赞李思超柳俊葛晓明

程涛贾汉祥尹雪兵赵波

(74)专利代理机构武汉蓝宝石专利代理事务所

(特殊普通合伙)42242

专利代理师王晓丽

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D30/47(2025.01)

H10D64/27(2025.01)