第4章薄膜的形成与生长.pptVIP

薄膜技术与薄膜材料谭占鳌可再生能源学院*******因此，溅射方法比蒸发方法较容易制备厚度均匀的薄膜。3.成膜过程从蒸发源或溅射靶中出来的沉积粒子到达基体表面之后，经过吸附、凝结、表面扩散迁移、碰撞结合形成稳定晶核。然后再通过吸附使晶核长大成小岛，岛长大后互相联结聚结，最后形成连续状薄膜。在这样的成膜过程中，蒸发法和溅射法的主要区别是：对于真空蒸发法其入射到基体上的气相原子对基体表面没有影响，成核条件不发生变化。在蒸发过程中，基体和薄膜表面受残余气体分子或原子的轰击次数较少，大约。所以杂质气体掺入到薄膜中的可能性较小。另外，蒸发的气相原子与残余气体很少发生化学反应。基体和薄膜的温度变化也不显著。**溅射方法则大不相同。入射到基体表面的离子和高能中性粒子对基体表面影响较大，可使基体表面变得粗糙、离子注入、表面小岛暂时带电以及和残余气体分子发生化学反应等。所以成核条件就有变化，成核中心形成过程加快，成核密度显著提高。工作气体分子、残余气体分子、原子和离子等对基体表面的轰击次数为。这比蒸发过程大得多。因此杂质气体或外部材料掺入薄膜的机会较多，在薄膜中容易发生活化或离化等化学反应。另外，由于入射的溅射粒子有较大的动能，基体和薄膜的温度变化也比较显著。**§7-5外延薄膜的生长在进行晶体薄膜的