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半导体晶圆湿法清洗工艺技师考试试卷及答案

一、填空题（每题1分，共10分）

1.湿法清洗中常用的RCA清洗法包含SC1和______两种核心溶液。

2.SC1溶液的主要成分是NH4OH、H2O2和______。

3.湿法清洗的主要目的包括去除颗粒、有机物、______和氧化层。

4.用于去除晶圆表面氧化层的常用酸是______。

5.兆声清洗的频率通常在______kHz左右（范围合理即可）。

6.清洗后干燥常用的方法有IPA干燥和______吹干。

7.湿法清洗中去金属污染的核心溶液是______。

8.晶圆清洗时常用的装载工具是______。

9.DI水的电阻率要求通常大于______MΩ·cm。

10.湿法清洗的核心步骤包括预处理、清洗、______和干燥。

二、单项选择题（每题2分，共20分）

1.SC1溶液主要去除晶圆表面的（）

A.金属离子B.有机物+颗粒C.氧化层D.离子

2.以下哪种试剂用于去除SiO2氧化层？（）

A.HClB.H2O2C.HFD.NH4OH

3.兆声清洗的主要作用是（）

A.增强清洗液流动B.分解有机物C.去除金属D.干燥晶圆

4.湿法清洗中DI水的作用是（）

A.腐蚀晶圆B.稀释试剂C.漂洗残留试剂D.氧化金属

5.SC2溶液的主要成分是（）

A.NH4OH:H2O2:H2OB.HCl:H2O2:H2OC.HF:H2O2:H2OD.HNO3:H