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2026年大学电子信息工程(模拟电子技术)试题及答案

一、半导体器件基础（选择题+判断题+填空题）

1.关于二极管的伏安特性，下列说法正确的是()

A.正向导通时，电压随电流增大呈线性增长

B.反向击穿后，反向电流急剧增大且两端电压基本保持恒定

C.温度升高时，二极管的正向导通电压升高，反向漏电流减小

D.锗二极管的反向击穿电压普遍高于硅二极管

答案：B

解析：二极管正向导通时的伏安特性是非线性的，电流随电压呈指数增长，A选项错误；温度升高时，半导体的本征载流子浓度增加，导致正向导通电压降低、反向漏电流增大，C选项错误；硅二极管的反向击穿电压通常比锗二极管更高，D选项错误；反向击穿后，稳压二极管等器件工作在此区域，反向电流急剧增大而两端电压基本不变，B选项正确。

2.三极管工作在放大状态的外部条件是()

A.发射结反向偏置，集电结正向偏置

B.发射结正向偏置，集电结反向偏置

C.发射结、集电结均正向偏置

D.发射结、集电结均反向偏置

答案：B

解析：三极管的放大状态需要满足发射结正偏以保证发射区向基区注入载流子，集电结反偏以保证基区的载流子能被集电区有效收集，B选项正确；A选项对应三极管的截止状态，C选项对应饱和状态，D选项也为截止状态。

3.关于N沟道增强型MOS管，下列说法错误的是()

A.当栅源电压VGS小于开启电压VGS(th)时，漏源之间