半导体薄膜沉积工艺技师考试试卷及答案.docVIP

半导体薄膜沉积工艺技师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.化学气相沉积的英文缩写是______。

2.物理气相沉积的两种主要工艺类型是溅射和______。

3.原子层沉积（ALD）的核心是______反应，实现逐层可控沉积。

4.硅片沉积前常用的氧化层去除试剂是______酸。

5.PECVD工艺中，等离子体的主要作用是______前驱体分子。

6.磁控溅射中，靶材表面磁场用于约束______，提高沉积速率。

7.LPCVD的典型压力范围是______Pa。

8.薄膜厚度常用的非接触测量方法是______。

9.CVD中提供薄膜元素的气态化合物称为______。

10.真空系统中实现高真空的核心泵是______泵。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.适合高深宽比结构沉积的工艺是：

A.溅射B.ALDC.蒸发D.APCVD

2.PECVD沉积SiN常用前驱体是：

A.SiH4+O2B.SiH4+NH3C.TEOS+O2D.TEOS+NH3

3.溅射“靶材中毒”的原因是：

A.靶材纯度低B.反应气体过量C.真空不足D.功率过高

4.ALD每周期沉积厚度约：

A.0.1-0.3nmB.1-5nmC.10-20nmD.50-100nm

5.沉积速率最快的PVD工艺是：

A.直流溅射B.射频溅射C.电子束蒸发D.电阻蒸发

6.LPCVD压力范围是：

A.常压B.1-