【光刻工艺流程分析1800字】.docxVIP

光刻工艺流程分析

目录

光刻工艺流程分析 1

1.1.1基底准备 2

1.1.2涂底 2

1.1.3涂胶 2

1.1.4前烘烤 2

1.1.5对准及曝光 3

1.1.6显影 3

1.1.7后烘烤 4

1.1.8后处理 4

1.1.9去胶 4

光刻是集成电路制造工艺中最具代表性的工艺，也是最为核心的环节。正是光刻技术能让我们在微小的芯片上实现指令反应或数据处理的功能。光刻是一种对半导体硅晶表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，从而打印出符合生产要求的电路图的加工技术。一套较为典型的光刻工艺流程[4-5如图1.2所示，下文将简要阐述光刻工艺的基本流程。

基底准备

涂胶

前烘烤

对准及曝光

(正胶)

对准及曝光

(负胶)

曝光后烘烤

显影

后烘烤

蚀刻

金属/多晶硅沉积

离子注入

图错误!文档中没有指定样式的文字。.1光刻工艺流程图

1.1.1基底准备

在开始光刻之前，我们首先要进行基底准备(SubstratePreparation)工序。在这一步中我们会先对晶圆表面使用化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)等手段进行处理，即除去晶圆表面的污染物与水蒸气使其表面