MOS场效应晶体管基础课件.pptVIP

3.1双端MOS结构1、MOS结构及其场效应2、半导体的耗尽及反型3、平衡能带关系4、栅压-平带电压和阈值电压5、电容（C-V）特性1.

MOS-V+a.MOS结构b.电场效应1、双端MOS结构及其场效应2.

-V+_______+++++++p型空穴堆积a.p增强型+V-+++++++p型空穴耗尽b.p耗尽型_______+V-+++++++p型电子堆积c.p反型_______-V+V++V2、半导体的耗尽及反型?s表面势空穴堆积电子堆积3.

-V++++++++n型电子堆积a.n增强型+V-+++++++n型电子耗尽b.n耗尽型_______+V-+++++++n型空穴堆积c.n反型_______+V-V--V2、半导体耗尽及反型_______?s表面势空穴堆积电子堆积4.

2、耗尽区宽度反型表面导电性增加，屏蔽外加电场，空间电荷区不能再增大。耗尽表面导电性降低，外加电场进一步深入，空间电荷区增大。5.

金属氧化物p型半导体3、平衡能带结构真空能级金属氧化物p型半导体真空能级能带平衡关系：总的能带弯曲等于金属半导体功函数差：金属功函